سامسونج تتجه إلى تقنية جديدة بسبب ضعف إنتاج رقاقات ذاكرة HBM

ووفقًا لما نقلته وكالة رويترز عن مصادر، فإن سامسونج تستعد للانتقال إلى تقنية إنتاج جديدة تسمى MR-MUF، والتي تفوقت بها شركة SK Hynix على جميع منافسيها في صناعة رقائق الذاكرة HBM.

ويرى التقرير الحصري لرويترز، استنادًا إلى ادعاءات خمسة مصادر محلية، أن سامسونج تقوم بهذه الخطوة بسبب ضعف إنتاج رقائق الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM). ووفقًا للتقرير، فإن سامسونج بصدد طلب معدات جديدة تتعلق بتقنية MR-MUF.

ويشير التقرير إلى أن أحد أسباب تخلف سامسونج عن منافسيها هو أن تمسكها بتقنية NCF أدى إلى مشاكل في الإنتاج، في حين أن شركة SK Hynix انتقلت إلى طريقة إنتاج أحدث تعتمد على MR-MUF لمعالجة نقاط الضعف في تقنية NCF.

قال مصدر مجهول لرويترز: “كان على سامسونج أن تفعل شيئًا لزيادة إنتاج رقائق ذاكرة HBM”. وقال المصدر المجهول لرويترز: “إن اعتماد سامسونج على تقنية MR-MUF هو علامة على أن سامسونج تعتمد في تطويرها على الشركات الأخرى، حيث يتعين عليها اتباع التقنية التي ابتكرتها منافستها SK Hynix”.

تُشير الأرقام إلى أن إنتاج سامسونج من رقائق الذاكرة HBM3 يبلغ 10-20% فقط، مقارنةً بنسبة تصل إلى 70% لمنافستها الكورية الجنوبية SK Hynix.

تمكنت رويترز من الحصول على رد من سامسونج، حيث صرح متحدث باسمها قائلاً: “نحن ننتج رقائق الذاكرة HBM3E كما هو مخطط له”.

وفي أعقاب تقرير رويترز، جاء رد رسمي آخر من سامسونج يفيد بأن انتقال رقائق ذاكرة HBM من سامسونج إلى تقنية MR-MUF كان مجرد شائعة.

ومع ذلك، زعمت ثلاثة مصادر مطلعة من داخل الشركة أن سامسونج تخطط لاستخدام تقنية NCF و MR-MUF في إنتاج رقائق ذاكرة HBM من الجيل التالي.